华电DOI:10.1002/adfm.201910205图6 PEDOT成分变化示意图NanoEnergy：分子助催化剂修饰CdS纳米棒的热释电效应 非中心对称结构的六方硫化镉(CdS)由于随温度变化的自发极化变化而表现出压电和热释电效应。

【成果简介】近日，天仁统成电子科技大学郑才俊研究员和苏州大学张晓宏教授（共同通讯作者）等人报道了一种通过在供电子和受电子构成分子（D和A）之间引入分子间氢键（HB）来抑制激基复合物发射体的非辐射跃迁的新型策略，天仁统成从而来提高其在OLEDs中的效率和稳定性。图三、承建在固态薄膜中三种激基复合物及其构成材料的FT-IR光谱a）具有不同重量比（8:2、7:3和5:5）的13PXZB:B4PyMPM及其构成成分，波数为2900-3150cm-1。

总之，国电电该工作不仅证明了D和A分子间的HBs可以改善激基复合物发射体的性能，而且为研制高效稳定的激基复合物发射体开辟了一条新的途径。图六、力人力资理系基于三种激基复合物构成OLEDs的性能a）电流密度-亮度-电压特性。源管d）在固态薄膜中13PXZB:B2PyMPM及其初始材料的吸收光谱和PL光谱。

显而易见，功上有效的避免非辐射跃迁，是发展高性能激基复合物发射体最有潜力方法之一。华电b）在固态薄膜中13PXZB:B4PyMPM及其初始材料的吸收光谱和PL光谱。

【背景介绍】自2012年以来，天仁统成激基复合物在有机发光二极管（OLEDs）中的应用受到了人们的广泛广泛的研究。

图七、承建不同激基复合物构成OLEDs的寿命曲线【小结】综上所述，承建作者提出了一种通过在D和A分子之间引入分子间HBs来提高激基复合物发射体性能的新策略。因此，国电电可以从钙钛矿组成、结构的设计、制备工艺的优化以及下层表面的调控等方面来提高RP钙钛矿薄膜的质量。

力人力资理系2.3.2制备工艺a-d）基于I-Cl-Cl,I-I-Cl,I-Cl-I,I-I-I前驱体制备的RP钙钛矿的晶体取向GIWAXS图像及对应示意图。源管2.2高质量RP钙钛矿膜的重要评价指标2.2.1优先垂直生长方向a）BA2MA3Pb4I13钙钛矿薄膜的GIWAXS图谱和BA2MA3Pb4I13在介孔TiO2薄膜上成核的三种可能方案示意图。

功上e）基于不同X阴离子的(PMA)2PbX4的实验结构和f）理论计算的能带排列g）不同碳原子数的(CmH2m+1NH3)2PbI4的结构和h）理论计算的能带排列。华电g）从正面和背面激发的(CMA)2(MA)8Pb9I28薄膜的稳态荧光光谱。